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日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)體間自然氧化蝕刻設(shè)備
簡要描述：

日本ULVAC愛發(fā)科RISETM-300半導(dǎo)體間自然氧化蝕刻設(shè)備
日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)體間自然氧化蝕刻設(shè)備

  • 產(chǎn)品型號：RISETM-300
  • 廠商性質(zhì)：代理商
  • 更新時間：2024-11-25
  • 訪  問  量：218

詳細(xì)介紹

日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)體間自然氧化蝕刻設(shè)備

日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)體間自然氧化蝕刻設(shè)備


間歇式自然氧化膜去除設(shè)備 RISETM-300

間歇式自然氧化膜去除設(shè)備RISE TM -300是一種間歇式預(yù)清洗設(shè)備，可以去除LSI深接觸底部等難處理的自然氧化膜。兼容300mm目標(biāo)晶圓。


特征

  • 實現(xiàn)高吞吐量和低 CoO

  • 良好的蝕刻均勻性（< ±5%/批次）和再現(xiàn)性

  • 干法

  • 無損壞（遠(yuǎn)程等離子體和低溫工藝）

  • 與傳統(tǒng)濕法工藝相比，自對準(zhǔn)接觸電阻降低至 1/2

  • 設(shè)備布局靈活

  • 強調(diào)可維護性

  • 50 300mm晶圓批量加工

目的

  • 用于形成自對準(zhǔn)觸點的預(yù)處理

  • 電容器形成過程中的預(yù)處理

  • 外延生長過程中的預(yù)處理

規(guī)格

模型RISETM-300
等離子源微波電源
設(shè)備配置EFEM + LL + PM
板尺寸Φ300mm
板臺陶瓷舟（50只/批）
排氣系統(tǒng)機械增壓泵+DRP
控制系統(tǒng)FAPC+TFT觸摸屏
氣體導(dǎo)入系統(tǒng)3個系統(tǒng)
應(yīng)用SAC、電容器和外延生長過程中的預(yù)處理

















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